Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G
Modèle de produit:
APT75GN60LDQ3G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 155A 536W TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
82676 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APT75GN60LDQ3G.pdf2.APT75GN60LDQ3G.pdf
Enquête

introduction

APT75GN60LDQ3G meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour APT75GN60LDQ3G, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour APT75GN60LDQ3G par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.85V @ 15V, 75A
Condition de test:400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:47ns/385ns
énergie de commutation:2500µJ (on), 2140µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-264 [L]
Séries:-
Puissance - Max:536W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Autres noms:APT75GN60LDQ3GMI
APT75GN60LDQ3GMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:485nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):225A
Courant - Collecteur (Ic) (max):155A
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT75GN60LDQ3G

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT75GN60BG Image APT75GN60BG Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO247 Enquête
APT77N60JC3 Image APT77N60JC3 Microsemi MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 Enquête
APT75M50B2 Image APT75M50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX Enquête
APT75GN120J Image APT75GN120J Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Enquête
APT75F50L Image APT75F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Enquête
APT75F50B2 Image APT75F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 Enquête
APT75GT120JU2 Image APT75GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 100A 416W SOT227 Enquête
APT75GP120J Image APT75GP120J Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Enquête
APT75GN120JDQ3 Image APT75GN120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Enquête
APT75GN120LG Image APT75GN120LG Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TO264 Enquête
APT75M50L Image APT75M50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Enquête
APT75GT120JRDQ3 Image APT75GT120JRDQ3 Microsemi IGBT 1200V 97A 480W SOT227 Enquête
APT75GN60B2DQ3G Image APT75GN60B2DQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 Enquête
APT75DQ60BG Image APT75DQ60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 Enquête
APT77N60BC6 Image APT77N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 Enquête
APT75GP120B2G Image APT75GP120B2G Microsemi IGBT 1200V 100A 1042W TMAX Enquête
APT75GN120B2G Image APT75GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TMAX Enquête
APT75GN120JDQ3G Image APT75GN120JDQ3G Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Enquête
APT75GP120JDQ3 Image APT75GP120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Enquête
APT75GT120JU3 Image APT75GT120JU3 Microsemi POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 Enquête

Latest Nouvelles