| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-18 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 500mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Autres noms: | 1086-15179 1086-15179-MIL 2N2222AJAN 2N2222AMS 2N2222AMS-ND JAN2N2222AMS |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 800mA |
| Numéro de pièce de base: | 2N2222 |
| Email: | [email protected] |
