2003
Modèle de produit:
2003
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
67591 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2003.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:55BT-1
Séries:-
Puissance - Max:12W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:55BT-1
Autres noms:2003MS
Température de fonctionnement:200°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Gain:8.5dB
Fréquence - Transition:2GHz
Description détaillée:RF Transistor NPN 50V 500mA 2GHz 12W Chassis Mount 55BT-1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:10 @ 100mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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