| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 500µA |
| Vgs (Max): | ±18V |
| teknologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 205 mOhm @ 10A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 78W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 780pF @ 600V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 8V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 900V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 900V 15A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
