| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 10mA, 1A |
| transistori tyyppi: | 4 NPN (Quad) |
| Toimittaja Device Package: | 10-SIP |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 4W |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | 10-SIP |
| Muut nimet: | STA412A DK |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 36 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 60V 3A 4W Through Hole 10-SIP |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 300 @ 500mA, 4V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
