SIHP6N40D-GE3
SIHP6N40D-GE3
Osa numero:
SIHP6N40D-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
93346 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
1.SIHP6N40D-GE3.pdf2.SIHP6N40D-GE3.pdf

esittely

SIHP6N40D-GE3 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SIHP6N40D-GE3: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SIHP6N40D-GE3: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:1 Ohm @ 3A, 10V
Tehonkulutus (Max):104W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:18 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:311pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):400V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 400V 6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit