SI3451DV-T1-GE3
SI3451DV-T1-GE3
Osa numero:
SI3451DV-T1-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
65761 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
SI3451DV-T1-GE3.pdf

esittely

SI3451DV-T1-GE3 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SI3451DV-T1-GE3: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SI3451DV-T1-GE3: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-TSOP
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.1nC @ 5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Yksityiskohtainen kuvaus:P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit