| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 100µA, 1mA |
| transistori tyyppi: | 2 NPN (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | TO-78-6 |
| Sarja: | Military, MIL-PRF-19500/355 |
| Virta - Max: | 350mW |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-78-6 Metal Can |
| Muut nimet: | 1086-20775 1086-20775-MIL |
| Käyttölämpötila: | 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 23 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 300 @ 1mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
