| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-18RM |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 800mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Muut nimet: | BS250KL-T1-E3 BS250KL-T1-E3TR BS250KL-T1-E3TR-ND BS250KL-TR1-E3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3nC @ 15V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | P-Channel 60V 270mA (Ta) 800mW (Ta) Through Hole TO-92-18RM |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 270mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
