Tarjeta de línea

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation es una compañía de circuitos integrados de memoria dedicada al diseño, fabricación y servicio de ventas para brindar a sus clientes globales soluciones de memoria de alta calidad. Las líneas de productos de Winbond incluyen Code Storage Flash Memory, Serial y Parallel NAND, Specialty DRAM y Mobile DRAM.
Los productos Winbond son ampliamente utilizados por las empresas en los mercados verticales de IoT, como computación, dispositivos multimedia conectados, automóviles, sistemas de redes e industriales. Winbond ofrece productos de DRAM y productos automotrices e industriales de grado y DRAM con soporte de longevidad. Winbond tiene aproximadamente 2,200 empleados en todo el mundo, que incluye un FAB de 12 pulgadas en su sede en Taichung, Taiwán.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
W947D2HBJX6E TR Image W947D2HBJX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Investigación
W25Q128FVSJP IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W25Q128JVBIM Image W25Q128JVBIM IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Investigación
W9864G2JB-6 TR Image W9864G2JB-6 TR IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Investigación
W25Q16BVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W631GG6KB15I TR Image W631GG6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Investigación
W25Q16FWSNIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W98AD6KBGX6I 1GB MSDR X16 166MHZ IND Investigación
W9825G2JB-75 Image W9825G2JB-75 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Investigación
W25Q128FVFJQ IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W98AD2KBJX6I TR 1GB MSDR X32 166MHZ IND Investigación
W25Q64FVSH03 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Investigación
W25Q128FWFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Investigación
W9816G6JH-6 Image W9816G6JH-6 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Investigación
W631GU6KB12I TR Image W631GU6KB12I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Investigación
W25Q64JVTCIQ TR Image W25Q64JVTCIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24TFBGA Investigación
W25Q32FVZPJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W25Q64JVZPIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Investigación
W25Q64CVSSJG IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W29N01GZDIBA Image W29N01GZDIBA IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA Investigación
W971GG8SB25I Image W971GG8SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Investigación
W25Q32JVDAIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8DIP Investigación
W25Q128JVCIM TR Image W25Q128JVCIM TR IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Investigación
W25Q256FVFIQ IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC Investigación
W987D2HBJX7E TR Image W987D2HBJX7E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Investigación
W632GG6KB-15 Image W632GG6KB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Investigación
W25Q80DVUXIE TR Image W25Q80DVUXIE TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON Investigación
W25Q32BVTBJG IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W25Q256FVCJQ IC FLASH MEMORY 256MB Investigación
W25Q128BVBJG IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W25X80VDAIZ IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8DIP Investigación
W25Q80BWSVIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP Investigación
W25Q64FVZEJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W25Q32FVSFJQ IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W25Q256JVCIQ TR Image W25Q256JVCIQ TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Investigación
W25Q256FVEIP IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25Q128JVAIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8DIP Investigación
W632GG8KB-09 Image W632GG8KB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ Investigación
W632GG6MB-15 Image W632GG6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Investigación
W9751G6KB-25 Image W9751G6KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Investigación
W25Q32BVZPJP TR IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W25Q80BLSNIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Investigación
W25Q32FWBYIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP Investigación
W631GG8MB-11 TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA Investigación
W631GU6KB-11 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA Investigación
W29GL512PH9B TR Image W29GL512PH9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA Investigación
W25X20CLZPIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25X10VSNIG IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8SOIC Investigación
W972GG8JB-3 TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Investigación
W25X40CLZPIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
registros 1,271