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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > TPH3208PD
TPH3208PD
TPH3208PD
Número de pieza:
TPH3208PD
Fabricante:
Transphorm
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
67964 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
TPH3208PD.pdf
Investigación

Introducción

TPH3208PD mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de TPH3208PD, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para TPH3208PD por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción detallada:N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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