SISH434DN-T1-GE3
Número de pieza:
SISH434DN-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
92908 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SISH434DN-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® 1212-8SH
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:7.6 mOhm @ 16.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 52W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:PowerPAK® 1212-8SH
Otros nombres:SISH434DN-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:27 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1530pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:N-Channel 40V 17.6A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17.6A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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