SIHD3N50D-E3
SIHD3N50D-E3
Número de pieza:
SIHD3N50D-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
51827 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SIHD3N50D-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-PAK (TO-252AA)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):69W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:175pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción detallada:N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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