PSMN1R6-40YLC,115
PSMN1R6-40YLC,115
Número de pieza:
PSMN1R6-40YLC,115
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
72100 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
PSMN1R6-40YLC,115.pdf

Introducción

PSMN1R6-40YLC,115 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de PSMN1R6-40YLC,115, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para PSMN1R6-40YLC,115 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.95V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:LFPAK56, Power-SO8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.55 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):288W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-1023, 4-LFPAK
Otros nombres:1727-7277-2
568-9907-2
568-9907-2-ND
PSMN1R640YLC115
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7790pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:126nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:N-Channel 40V 100A (Tc) 288W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios