NSV40302PDR2G
Número de pieza:
NSV40302PDR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
51934 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
NSV40302PDR2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:115mV @ 200mA, 2A
Tipo de transistor:NPN, PNP
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
Potencia - Max:653mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:NSV40302PDR2G-ND
NSV40302PDR2GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:100MHz
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:180 @ 1A, 2V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):3A
Email:[email protected]

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