NJVMJD128T4G
NJVMJD128T4G
Número de pieza:
NJVMJD128T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK-4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
78905 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
NJVMJD128T4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):120V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:4V @ 80mA, 8A
Tipo de transistor:PNP - Darlington
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:-
Potencia - Max:1.75W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:NJVMJD128T4GOSCT
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:-
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 8A 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 4A, 4V
Corriente - corte del colector (Max):5mA
Corriente - colector (Ic) (Max):8A
Email:[email protected]

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