MT47H128M4B6-25E:D TR
MT47H128M4B6-25E:D TR
Número de pieza:
MT47H128M4B6-25E:D TR
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad:
55344 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
MT47H128M4B6-25E:D TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:15ns
Suministro de voltaje:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnología:SDRAM - DDR2
Paquete del dispositivo:60-FBGA
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:60-FBGA
Otros nombres:MT47H128M4B6-25E:D TR-ND
MT47H128M4B6-25E:DTR
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:512Mb (128M x 4)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA
Frecuencia de reloj:400MHz
Número de pieza base:MT47H128M4
Tiempo de acceso:400ps
Email:[email protected]

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