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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
Número de pieza:
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
51839 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E.pdf
Investigación

Introducción

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BOSER Technology es el distribuidor de MT29F2G08ABAEAWP-IT:E, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para MT29F2G08ABAEAWP-IT:E por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:-
Suministro de voltaje:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología:FLASH - NAND
Paquete del dispositivo:48-TSOP I
Serie:-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Non-Volatile
Tamaño de la memoria:2Gb (256M x 8)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 48-TSOP I
Número de pieza base:MT29F2G08
Email:[email protected]

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