MT28EW512ABA1HJS-0SIT - Micron Technology Memoria

MT28EW512ABA1HJS-0SIT

Número de pieza:: MT28EW512ABA1HJS-0SIT

Fabricante:: Micron Technology

Descripción:: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

[LeadFreeStatus]未找到翻译: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad:: 80848 Pieces

El tiempo de entrega:: 1-2 days

Ficha de datos:: MT28EW512ABA1HJS-0SIT.pdf

Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición	New and Original
Origen	Contact us
Distribuidor	Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:	60ns
Suministro de voltaje:	2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología:	FLASH - NOR
Paquete del dispositivo:	56-TSOP (14x20)
Serie:	-
embalaje:	Tray
Paquete / Cubierta:	56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):	3 (168 Hours)
Tipo de memoria:	Non-Volatile
Tamaño de la memoria:	512Mb (64M x 8, 32M x 16)
Interfaz de memoria:	Parallel
Formato de memoria:	FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:	FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 95ns 56-TSOP (14x20)
Tiempo de acceso:	95ns
Email:	[email protected]

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