JAN1N6631US
JAN1N6631US
Número de pieza:
JAN1N6631US
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad:
68333 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
JAN1N6631US.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.6V @ 1.4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1100V
Paquete del dispositivo:D-5B
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/590
Tiempo de recuperación inversa (trr):60ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:E-MELF
Otros nombres:1086-20001
1086-20001-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo:Standard
Descripción detallada:Diode Standard 1100V 1.4A Surface Mount D-5B
Corriente - Fuga inversa a Vr:4µA @ 1100V
Corriente - rectificada media (Io):1.4A
Capacitancia Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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