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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFQ23N60Q
IXFQ23N60Q
IXFQ23N60Q
Número de pieza:
IXFQ23N60Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
61629 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IXFQ23N60Q.pdf
Investigación

Introducción

IXFQ23N60Q mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de IXFQ23N60Q, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para IXFQ23N60Q por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-268
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:-
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 23A (Tc) Surface Mount TO-268
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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