| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | Micro6™(SOT23-6) |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 2W (Ta) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 |
| Otros nombres: | *IRLMS2002TR IRLMS2002CT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1310pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 22nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | N-Channel 20V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
