IRFI820G
IRFI820G
Número de pieza:
IRFI820G
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad:
67669 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IRFI820G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3 Ohm @ 1.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):30W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres:*IRFI820G
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción detallada:N-Channel 500V 2.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

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