| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 80µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT223 |
| Serie: | CoolMOS™ P7 |
| Estado RoHS: | RoHS Compliant |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 6.8W (Tc) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-223-3 |
| Otros nombres: | IPN80R1K2P7ATMA1CT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 500V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
| Descripción detallada: | N-Channel 800V 4.5A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
