IPI80N06S3L06XK
IPI80N06S3L06XK
Número de pieza:
IPI80N06S3L06XK
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
71065 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IPI80N06S3L06XK.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 80µA
Vgs (Max):±16V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:5.9 mOhm @ 56A, 10V
La disipación de energía (máximo):136W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:IPI80N06S3L-06
IPI80N06S3L-06-ND
IPI80N06S3L-06IN
IPI80N06S3L-06IN-ND
IPI80N06S3L06X
SP000088002
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9417pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:196nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción detallada:N-Channel 55V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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