| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.8V @ 108µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-HSOF-8-1 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.9 mOhm @ 80A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 167W (Tc) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerSFN |
| Otros nombres: | IAUT165N08S5N029ATMA2DKR IAUT165N08S5N029DKR IAUT165N08S5N029DKR-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6370pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción detallada: | N-Channel 80V 165A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 165A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
