| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 7mA |
| Paquete del dispositivo: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Potencia - Max: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | Die |
| Otros nombres: | 917-1182-2 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.8nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 23A |
| Email: | [email protected] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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