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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT
Número de pieza:
EPC2039ENGRT
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
45297 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
EPC2039ENGRT.pdf
Investigación

Introducción

EPC2039ENGRT mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de EPC2039ENGRT, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para EPC2039ENGRT por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 2mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:22 mOhm @ 6A, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-EPC2039ENGRTR
EPC2039ENGR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción detallada:N-Channel 80V 6.8A (Ta) Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

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