| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 20µA |
| Paquete del dispositivo: | PG-DSO-8 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | BSO615N G BSO615N G-ND BSO615NG BSO615NGHUMA1TR BSO615NGINTR-ND BSO615NGT BSO615NGXT BSO615NT BSO615NXTINTR BSO615NXTINTR-ND SP000216316 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A |
| Número de pieza base: | BSO615 |
| Email: | [email protected] |
