| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 1.2kV |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.8V @ 40A |
| Tecnología: | Silicon Carbide Schottky |
| Paquete del dispositivo: | SP1 |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SP1 |
| Otros nombres: | APTDC40H1201GMI APTDC40H1201GMI-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Single Phase |
| Descripción detallada: | Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SP1 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 800µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 40A |
| Email: | [email protected] |
