| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 210 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1040W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 Variant |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 8070pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 260nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
| Descripción detallada: | N-Channel 800V 43A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 43A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
APT43GA90B | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO-247 | Investigación |
 |
APT40N60JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 | Investigación |
 |
APT43M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | Investigación |
|
APT43GA90BD30 | Microsemi | IGBT 900V 78A 337W TO247 | Investigación |
 |
APT40M75JN | Microsemi | MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP | Investigación |
|
APT42F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 42A TO-247 | Investigación |
 |
APT42F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK | Investigación |
 |
APT41F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 | Investigación |
 |
APT40M70LVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 | Investigación |
|
APT43M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | Investigación |
|
APT40SM120S | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK | Investigación |
|
APT44F80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX | Investigación |
|
APT40SM120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 | Investigación |
|
APT41M80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 43A TO-264 | Investigación |
|
APT40M70JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 | Investigación |
|
APT43F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX | Investigación |
|
APT40N60JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 | Investigación |
|
APT43F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 | Investigación |
|
APT40SM120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 | Investigación |
|
APT40M42JN | Microsemi | MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP | Investigación |