| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | T-MAX™ |
| Serie: | POWER MOS V® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 11 mOhm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 520W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 Variant |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10300pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 450nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción detallada: | N-Channel 100V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | Investigación |
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APT10SCD65KCT | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Investigación |
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APT106N60B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | Investigación |
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APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | Investigación |
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APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | Investigación |
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APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Investigación |
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APT100M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 | Investigación |
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APT102GA60B2 | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO247 | Investigación |
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APT10SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | Investigación |
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APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | Investigación |
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APT100MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP | Investigación |
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APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | Investigación |
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APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Investigación |
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APT102GA60L | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO264 | Investigación |
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APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | Investigación |
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APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Investigación |
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APT100S20LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 | Investigación |
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APT100S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 | Investigación |
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APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Investigación |
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APT10SCD120K | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 | Investigación |