AON5802A
AON5802A
Número de pieza:
AON5802A
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
44349 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.AON5802A.pdf2.AON5802A.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-DFN-EP (2x5)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Potencia - Max:1.7W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Otros nombres:785-1134-1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1115pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.7nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.2A 1.7W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.2A
Email:[email protected]

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