español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > A2T09D400-23NR6
A2T09D400-23NR6
Número de pieza:
A2T09D400-23NR6
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Cantidad:
96596 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
A2T09D400-23NR6.pdf
Investigación

Introducción

A2T09D400-23NR6 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de A2T09D400-23NR6, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para A2T09D400-23NR6 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:28V
Tensión - Calificación:70V
Tipo de transistor:LDMOS
Paquete del dispositivo:OM-1230-4L2S
Serie:-
Alimentación - Salida:400W
Paquete / Cubierta:OM-1230-4L2S
Otros nombres:935318726528
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Ganancia:17.8dB
Frecuencia:716MHz ~ 960MHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 716MHz ~ 960MHz 17.8dB 400W OM-1230-4L2S
Valoración actual:10µA
Corriente - Prueba:1.2A
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de A2T09D400-23NR6

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
A2T09VD300NR1 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Investigación
A2T14H450-23NR6 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Investigación
A2T08VD021NT1 NXP Semiconductors / Freescale AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8 Investigación
A2T18H450W19SR6 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Investigación
A2T18S166W12SR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2 Investigación
A2T18H100-25SR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 65V 1.81GHZ Investigación
A2T18S260W12NR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Investigación
A2T18H410-24SR6 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Investigación
A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Investigación
A2T18S260-12SR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Investigación
A2T18S160W31SR3 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Investigación
A2T07D160W04SR3 Image A2T07D160W04SR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 70V 803MHZ Investigación
A2T18S160W31GSR3 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Investigación
A2T18S162W31SR3 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Investigación
A2T08VD020NT1 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Investigación
A2T18H160-24SR3 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Investigación
A2T07H310-24SR6 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 70V 880MHZ Investigación
A2T09VD250NR1 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Investigación
A2T18S162W31GSR3 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Investigación
A2T18S165-12SR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Investigación

Latest Noticias