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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N2222AE4
2N2222AE4
Número de pieza:
2N2222AE4
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Cantidad:
38175 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
2N2222AE4.pdf
Investigación

Introducción

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BOSER Technology es el distribuidor de 2N2222AE4, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para 2N2222AE4 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:TO-18
Serie:-
Potencia - Max:500mW
Paquete / Cubierta:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Frecuencia - Transición:-
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):10µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):800mA
Email:[email protected]

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