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TC58CVG1S3HRAIG
Artikelnummer:
TC58CVG1S3HRAIG
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung:
2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
46648 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
TC58CVG1S3HRAIG.pdf
Anfrage

Einführung

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BOSER Technology ist der Distributor für TC58CVG1S3HRAIG, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für TC58CVG1S3HRAIG per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse:8-WSON (6x8)
Serie:-
Verpackung / Gehäuse:8-WDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C
Befestigungsart:Surface Mount
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle:SPI
Speicherformat:FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) SPI 104MHz 8-WSON (6x8)
Uhrfrequenz:104MHz
Email:[email protected]

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Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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TC58BYG1S3HBAI6 Image TC58BYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA Anfrage
TC58BVG2S0HBAI4 Image TC58BVG2S0HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA Anfrage
TC58CVG2S0HRAIG Image TC58CVG2S0HRAIG Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON Anfrage
TC58CYG2S0HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V Anfrage
TC58CYG0S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V Anfrage
TC58NVG0S3HTA00 Image TC58NVG0S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I Anfrage
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