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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > TC58BVG1S3HBAI4
TC58BVG1S3HBAI4
Artikelnummer:
TC58BVG1S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung:
2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
40518 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
TC58BVG1S3HBAI4.pdf
Anfrage

Einführung

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BOSER Technology ist der Distributor für TC58BVG1S3HBAI4, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für TC58BVG1S3HBAI4 per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:25ns
Spannungsversorgung:2.7 V ~ 3.6 V
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse:63-TFBGA (9x11)
Serie:Benand™
Verpackung / Gehäuse:63-VFBGA
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle:-
Speicherformat:FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

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