S12JR
Artikelnummer:
S12JR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
62242 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.S12JR.pdf2.S12JR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Spitzensperr- (max):Standard, Reverse Polarity
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:12A
Spannung - Durchschlag:DO-4
Serie:-
RoHS Status:Bulk
Rückwärts-Erholzeit (Trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F:-
Polarisation:DO-203AA, DO-4, Stud
Andere Namen:S12JRGN
Befestigungsart:Chassis, Stud Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:S12JR
Expanded Beschreibung:Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Diodenkonfiguration:10µA @ 50V
Beschreibung:DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:1.1V @ 12A
Strom - Richt (Io) (pro Diode):600V
Kapazität @ Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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