RF6C055BCTCR
RF6C055BCTCR
Artikelnummer:
RF6C055BCTCR
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
41490 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.RF6C055BCTCR.pdf2.RF6C055BCTCR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TUMT6
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Verlustleistung (max):1W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:6-SMD, Flat Leads
Andere Namen:RF6C055BCTCRCT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15.2nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 20V 5.5A (Ta) 1W (Tc) Surface Mount TUMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

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