NAND256R3A2BZA6E
Artikelnummer:
NAND256R3A2BZA6E
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
58833 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NAND256R3A2BZA6E.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:50ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:FLASH - NAND
Supplier Device-Gehäuse:55-VFBGA (8x10)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:55-TFBGA
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:256Mb (32M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FLASH - NAND Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 50ns 55-VFBGA (8x10)
Basisteilenummer:NAND256-A
Zugriffszeit:50ns
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