MT49H16M36SJ-25 IT:B TR
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR
Artikelnummer:
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
46532 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.9 V
Technologie:DRAM
Supplier Device-Gehäuse:144-FBGA (18.5x11)
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:144-TFBGA
Andere Namen:MT49H16M36SJ-25 IT:B TR-ND
MT49H16M36SJ-25IT:BTR
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:576Mb (16M x 36)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:DRAM Memory IC 576Mb (16M x 36) Parallel 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)
Uhrfrequenz:400MHz
Zugriffszeit:20ns
Email:[email protected]

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