MT47H256M8THN-25E IT:H
Artikelnummer:
MT47H256M8THN-25E IT:H
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
55694 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.MT47H256M8THN-25E IT:H.pdf2.MT47H256M8THN-25E IT:H.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:15ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.9 V
Technologie:SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse:63-FBGA (8x10)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:63-TFBGA
Andere Namen:MT47H256M8THN-25E IT:H-ND
MT47H256M8THN-25EIT:H
Betriebstemperatur:-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 63-FBGA (8x10)
Uhrfrequenz:400MHz
Basisteilenummer:MT47H256M8
Zugriffszeit:400ps
Email:[email protected]

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