MT46V32M16TG-75E:C
MT46V32M16TG-75E:C
Artikelnummer:
MT46V32M16TG-75E:C
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Anzahl:
54861 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT46V32M16TG-75E:C.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:15ns
Spannungsversorgung:2.3 V ~ 2.7 V
Technologie:SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse:66-TSOP
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):4 (72 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 750ps 66-TSOP
Uhrfrequenz:133MHz
Basisteilenummer:MT46V32M16
Zugriffszeit:750ps
Email:[email protected]

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