Deutsch
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Über uns | Kontakt | Angebot anfordern |
Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT44K64M18RB-083F:A
MT44K64M18RB-083F:A
Artikelnummer:
MT44K64M18RB-083F:A
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
55857 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT44K64M18RB-083F:A.pdf
Anfrage

Einführung

MT44K64M18RB-083F:A bester Preis und schnelle Lieferung.
BOSER Technology ist der Distributor für MT44K64M18RB-083F:A, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für MT44K64M18RB-083F:A per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
Unsere E-Mail: [email protected]

Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.28 V ~ 1.42 V
Technologie:DRAM
Serie:-
Betriebstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:1.125Gb (64Mb x 18)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 1200MHz 6.67ns
Uhrfrequenz:1200MHz
Zugriffszeit:6.67ns
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung

In Verbindung stehende Teile für MT44K64M18RB-083F:A

Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
MT44K64M18RB-107E:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Anfrage
MT44K64M18RB-093E:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Anfrage
MT44K32M36RB-107E IT:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Anfrage
MT44K64M18RB-083E:A TR Micron Technology IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG Anfrage
MT44K64M18RCT-125:A TR Micron Technology IC RLDRAM 1.125GBIT TBGA Anfrage
MT44K64M18RB-083F:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Anfrage
MT44K64M18RB-083E:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ Anfrage
MT44K32M36RCT-125:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Anfrage
MT44K32M36RB-093F:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Anfrage
MT44K64M18RB-093F:A Micron Technology RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA Anfrage
MT44K64M18RB-107E IT:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Anfrage
MT44K32M36RB-107E:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Anfrage
MT44K32M36RB-107E IT:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Anfrage
MT44K32M36RCT-125E:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ Anfrage
MT44K64M18RB-107E IT:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Anfrage
MT44K64M18RB-093F:A TR Micron Technology IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA Anfrage
MT44K64M18RB-107E:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ Anfrage
MT44K32M36RB-107E:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA Anfrage
MT44K32M36RCT-125 IT:A TR Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ Anfrage
MT44K64M18RB-093E:A Micron Technology IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ Anfrage

läst Nachrichten