Deutsch
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Über uns | Kontakt | Angebot anfordern |
Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT41K512M8V80AWC1
MT41K512M8V80AWC1
Artikelnummer:
MT41K512M8V80AWC1
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 4G PARALLEL DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
73963 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT41K512M8V80AWC1.pdf
Anfrage

Einführung

MT41K512M8V80AWC1 bester Preis und schnelle Lieferung.
BOSER Technology ist der Distributor für MT41K512M8V80AWC1, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für MT41K512M8V80AWC1 per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
Unsere E-Mail: [email protected]

Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.283 V ~ 1.45 V
Technologie:SDRAM - DDR3L
Serie:-
Betriebstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung

In Verbindung stehende Teile für MT41K512M8V80AWC1

Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
MT41K64M16TW-107 AIT:J Image MT41K64M16TW-107 AIT:J Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Anfrage
MT41K512M8RH-125:E Image MT41K512M8RH-125:E Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Anfrage
MT41K512M8RH-125 V:E Image MT41K512M8RH-125 V:E Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Anfrage
MT41K64M16TW-107 AAT:J Image MT41K64M16TW-107 AAT:J Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Anfrage
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR Image MT41K512M8RH-125 XIT:E TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Anfrage
MT41K64M16JT-15E:G TR Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Anfrage
MT41K512M8RH-125:E TR Image MT41K512M8RH-125:E TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Anfrage
MT41K64M16TW-107 AUT:J Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 933MHZ Anfrage
MT41K64M16JT-15E:G Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Anfrage
MT41K512M8V00HWC1-N001 Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL Anfrage
MT41K512M8RH-125 V:E TR Image MT41K512M8RH-125 V:E TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Anfrage
MT41K512M8V00HWC1-N002 Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL Anfrage
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR Image MT41K64M16TW-107 AIT:J TR Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Anfrage
MT41K512M8V90BWC1 Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL Anfrage
MT41K64M16JT-125:G TR Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Anfrage
MT41K512M8THD-15E:D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Anfrage
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR Image MT41K64M16TW-107 AAT:J TR Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Anfrage
MT41K64M16JT-125:G Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Anfrage
MT41K512M8RH-125 XIT:E Image MT41K512M8RH-125 XIT:E Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Anfrage
MT41K512M8V00HWC1 Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL DIE Anfrage

läst Nachrichten