MT41K512M16TNA-125 M:E
Artikelnummer:
MT41K512M16TNA-125 M:E
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
60606 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT41K512M16TNA-125 M:E.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.283 V ~ 1.45 V
Technologie:SDRAM - DDR3L
Supplier Device-Gehäuse:96-FBGA (10x14)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:96-TFBGA
Andere Namen:MT41K512M16TNA-125 M:E-ND
MT41K512M16TNA-125M:E
Betriebstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel 800MHz 13.5ns 96-FBGA (10x14)
Uhrfrequenz:800MHz
Basisteilenummer:MT41K512M16
Zugriffszeit:13.5ns
Email:[email protected]

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