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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT41K256M16TW-125:P
MT41K256M16TW-125:P
Artikelnummer:
MT41K256M16TW-125:P
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
77013 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT41K256M16TW-125:P.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.283 V ~ 1.45 V
Technologie:SDRAM - DDR3L
Serie:-
Betriebstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns
Uhrfrequenz:800MHz
Zugriffszeit:20ns
Email:[email protected]

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