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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-RF > MDS1100
MDS1100
Artikelnummer:
MDS1100
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
56114 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MDS1100.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):65V
Transistor-Typ:NPN
Supplier Device-Gehäuse:55TU-1
Serie:-
Leistung - max:8750W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:55TU-1
Betriebstemperatur:200°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f):-
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen:8.9dB
Frequenz - Übergang:1.03GHz
detaillierte Beschreibung:RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:20 @ 5A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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