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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > JAN2N3501UB
JAN2N3501UB
JAN2N3501UB
Artikelnummer:
JAN2N3501UB
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
TRANS NPN 150V 0.3A TO39
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Anzahl:
46972 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
JAN2N3501UB.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):150V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 15mA, 150mA
Transistor-Typ:NPN
Supplier Device-Gehäuse:UB
Serie:Military, MIL-PRF-19500/366
Leistung - max:500mW
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:3-SMD, No Lead
Andere Namen:1086-2350
1086-2350-MIL
Betriebstemperatur:-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:23 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 300mA 500mW Surface Mount UB
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 150mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):300mA
Email:[email protected]

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