HUFA76609D3S
Artikelnummer:
HUFA76609D3S
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
75445 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
HUFA76609D3S.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252AA
Serie:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max):49W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:425pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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